F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯美鑫; 张书明; 王辉; 刘建平; 曾畅; 李增成; 王怀兵; 杨辉 |
| 发表日期 | 2011-12-28 |
| 专利号 | CN102299479A |
| 著作权人 | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法 |
| 英文摘要 | 一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；5、用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。本发明可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态，抑制激光器腔面的光吸收；同时外延生长的薄膜为宽禁带材料，对出射光的吸收非常小，可以极大抑制激光器腔面处的光吸收和由此引起的温度上升，提高激光器的稳定性和可靠性。 |
| 公开日期 | 2011-12-28 |
| 申请日期 | 2011-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63623]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯美鑫,张书明,王辉,等. F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法. CN102299479A. 2011-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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