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半导体激光元件及半导体激光元件阵列

文献类型:专利

作者王浟; 宫岛博文; 渡边明佳; 菅博文
发表日期2007-08-15
专利号CN101019284A
著作权人浜松光子学株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光元件及半导体激光元件阵列
英文摘要半导体激光元件(3)具有n型包层(13)、活性层(15)及p型包层(17)。p型包层(17)具有在活性层(15)中形成波导管(4)的脊形部(9)。波导管(4)沿着以大致一定的曲率(曲率半径R)弯曲的中心轴线(B)延伸。在这样的波导管(4)中,在波导管(4)内共振的光中的空间横向模式的次数越高的光损失就越大。因此,可以维持横向低次模式的激光振荡而抑制横向高次模式的激光振荡。由此实现了可以使较大强度的激光出射而抑制横向高次模式的半导体激光元件及半导体激光元件阵列。
公开日期2007-08-15
申请日期2005-09-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63629]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位浜松光子学株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
王浟,宫岛博文,渡边明佳,等. 半导体激光元件及半导体激光元件阵列. CN101019284A. 2007-08-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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