半导体激光元件及半导体激光元件阵列
文献类型:专利
作者 | 王浟; 宫岛博文; 渡边明佳; 菅博文 |
发表日期 | 2007-08-15 |
专利号 | CN101019284A |
著作权人 | 浜松光子学株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光元件及半导体激光元件阵列 |
英文摘要 | 半导体激光元件(3)具有n型包层(13)、活性层(15)及p型包层(17)。p型包层(17)具有在活性层(15)中形成波导管(4)的脊形部(9)。波导管(4)沿着以大致一定的曲率(曲率半径R)弯曲的中心轴线(B)延伸。在这样的波导管(4)中,在波导管(4)内共振的光中的空间横向模式的次数越高的光损失就越大。因此,可以维持横向低次模式的激光振荡而抑制横向高次模式的激光振荡。由此实现了可以使较大强度的激光出射而抑制横向高次模式的半导体激光元件及半导体激光元件阵列。 |
公开日期 | 2007-08-15 |
申请日期 | 2005-09-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63629] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 浜松光子学株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王浟,宫岛博文,渡边明佳,等. 半导体激光元件及半导体激光元件阵列. CN101019284A. 2007-08-15. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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