基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 徐靖中 |
| 发表日期 | 2011-11-30 |
| 专利号 | CN102263371A |
| 著作权人 | 徐靖中 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器。包括N电极，SiC衬底，N型DBR、有源区、氧化限制层，P型DBR、SiC(电极+窗口+热沉)、SiO2掩模，焊料。本发明特色在于采用倒装顶发射结构。出光窗口制作在P型DBR上，采用顶部出光方式，热沉也置于P面一端。SiC晶片经特殊技术改性处理后同时具备高热导率、高电导率以及近红外波段光的高透过率。以SiC晶片替代传统结构中P电极、出光窗口和热沉，将三者的功能合三为一。SiC晶片作为电极，以平面电极或非均匀网格电极形式代替传统VCSEL的环形P电极；SiC晶片作为热沉材料，热膨胀系数与GaAs类材料相近，与外延片中的P面直接倒装连接；SiC晶片同时成为出光窗口。 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 申请日期 | 2010-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63646]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 徐靖中 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐靖中. 基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器. CN102263371A. 2011-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。