氮化物半导体装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 盐泽胜臣; 金本恭三; 大石敏之; 黑川博志; 川崎和重; 阿部真司; 佐久间仁 |
| 发表日期 | 2009-05-27 |
| 专利号 | CN101442184A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。 |
| 公开日期 | 2009-05-27 |
| 申请日期 | 2008-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63649]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盐泽胜臣,金本恭三,大石敏之,等. 氮化物半导体装置及其制造方法. CN101442184A. 2009-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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