降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构
文献类型：专利
| 作者 | 祁琼; 熊聪; 王俊; 郑凯; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2011-08-24 |
| 专利号 | CN102163804A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构 |
| 英文摘要 | 本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，包括：一衬底；一N型限制层，该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层，该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层，该P型波导层制作在量子阱层上；一P型限制层，该P型限制层制作在P型波导层上。 |
| 公开日期 | 2011-08-24 |
| 申请日期 | 2011-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63684]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁琼,熊聪,王俊,等. 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构. CN102163804A. 2011-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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