単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | デイビッド·ボーア; スコット·ダブリュー·コーザイン |
| 发表日期 | 2006-12-28 |
| 专利号 | JP2006352133A |
| 著作权人 | AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】VCSELに対しては、注入電流の閉じ込め、しきい値利得等に関して改善された特性を提供し、端面発光レーザに対しては、接触抵抗、注入電流等に関して改善された特性を提供するレーザ構造を得る。 【解決手段】垂直量子井戸窒化物レーザを、ELOG(エピタキシャル横方向成長)によって製造する。垂直量子井戸を、横方向の成長端面であるa面上への堆積によって形成し、単一のELOG-MOCVD(有機金属気相成長)の成長ステップで横方向のp-n接合を形成する。垂直量子井戸は、a面から成長させ[11-20]配向としてもよいし、c面から成長させ[0001]配向としてもよい。本発明の垂直量子井戸は、VCSELおよび端面発光レーザのいずれにも使用することができる。 【選択図】図1E |
| 公开日期 | 2006-12-28 |
| 申请日期 | 2006-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63699]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | デイビッド·ボーア,スコット·ダブリュー·コーザイン. 単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ. JP2006352133A. 2006-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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