半导体激光器件和半导体激光器件制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 丹下贵志; 冨谷茂隆 |
| 发表日期 | 2012-10-03 |
| 专利号 | CN102714393A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器件和半导体激光器件制造方法。所述半导体激光器件能够可靠地抑制由于界面氧化和畸变出现而导致的端面劣化。所述半导体激光器件设置有具有相互面对的谐振器端面（108、109）的激光结构部（107），还设置有形成于所述相互面对的谐振器端面中的至少一者上的保护膜（110、120）。所述保护膜（110、120）是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器端面相接触的那一侧起包含非晶层（111、121）和多晶层（112、122）。 |
| 公开日期 | 2012-10-03 |
| 申请日期 | 2011-11-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63703]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丹下贵志,冨谷茂隆. 半导体激光器件和半导体激光器件制造方法. CN102714393A. 2012-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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