一种超晶格波导半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 李特; 张月; 李再金; 郝二娟; 邹永刚; 芦鹏; 曲轶; 刘国军; 马晓辉 |
| 发表日期 | 2013-11-06 |
| 专利号 | CN103384046A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种超晶格波导半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明属于光电子技术领域，是一种超晶格波导半导体激光器结构，从下到上依次包括:N型砷化镓衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；N型砷化镓缓冲层，主要用以调节晶格适配度；N型下限制层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来限制光场向下的泄露；N型下波导层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来增加对光场模式的限制；量子阱层，该有源区材料为铟镓砷单量子阱；P型上超晶格波导层，为铝镓砷材料，用于调制波导的折射率；P型上波导层，为铝镓砷材料，用来增加对光场模式的限制；P型上限制层，为铝镓砷材料，用来限制光场向上的泄露；过渡层，为砷化镓材料；电极接触层，为砷化镓材料，用来与金属形成上电极。 |
| 公开日期 | 2013-11-06 |
| 申请日期 | 2013-01-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63710]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李特,张月,李再金,等. 一种超晶格波导半导体激光器结构. CN103384046A. 2013-11-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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