带有相结构的边发射的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 沃尔夫冈・施密德; 乌韦・D・蔡纳; 汉斯-克里斯托弗・埃克斯坦 |
| 发表日期 | 2011-06-29 |
| 专利号 | CN102113187A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 带有相结构的边发射的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 提出了一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域(4)的半导体本体(10)，其中波导区域(4)具有设置在第一波导层(2A)与第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射的有源层(3)。波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)与第二覆盖层(1B)之间。半导体本体(10)具有主区域(5)和至少一个相结构区域(6)，在该相结构区域中构建有相结构，用于选择有源层(3)发射的激光辐射的横向模式。为了减少耦合损耗，相结构区域(6)设置在波导区域(4)之外或者通过如下区域(6)形成：在该区域中引入掺杂剂或者产生混匀结构。 |
| 公开日期 | 2011-06-29 |
| 申请日期 | 2009-05-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63713]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沃尔夫冈・施密德,乌韦・D・蔡纳,汉斯-克里斯托弗・埃克斯坦. 带有相结构的边发射的半导体激光器. CN102113187A. 2011-06-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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