一种低电压损耗半导体激光器外延结构
文献类型：专利
| 作者 | 李特; 乔忠良; 郝二娟; 李再金; 芦鹏; 曲轶; 刘国军 |
| 发表日期 | 2016-02-10 |
| 专利号 | CN105322440A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种低电压损耗半导体激光器外延结构 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种低电压损耗半导体激光外延结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型稀氮In0.48Ga0.52NyP1-y材料；一下波导层，在下限制层上，为N型GaAs材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。其中选用稀氮In0.48Ga0.52NyP1-y/GaAs材料组合作为下限制层和波导层结构，该材料体系能够在晶格匹配的条件下，降低界面处的导带差，减小载流子传输过程中的电压损耗。 |
| 公开日期 | 2016-02-10 |
| 申请日期 | 2014-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63728]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李特,乔忠良,郝二娟,等. 一种低电压损耗半导体激光器外延结构. CN105322440A. 2016-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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