带有微反射镜的硅基V型槽制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘鹏程; 刘国军; 李洪雨; 魏志鹏; 冯源; 郝永芹; 安宁; 陈芳; 何斌太; 刘超 |
| 发表日期 | 2016-01-27 |
| 专利号 | CN105278042A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 带有微反射镜的硅基V型槽制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic？crystalline？etching？simulation（ACES）软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向；硅刻蚀：根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜，调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜；镀膜：使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜，利用磁控溅射技术沉积薄膜，减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器（VCSEL）与尾纤的耦合，或者其他需要折转光路的耦合情形，有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。 |
| 公开日期 | 2016-01-27 |
| 申请日期 | 2014-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63745]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘鹏程,刘国军,李洪雨,等. 带有微反射镜的硅基V型槽制备方法. CN105278042A. 2016-01-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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