用于形成激光二极管结构中的隔离区的剥离处理
文献类型：专利
| 作者 | S·刘; B·J·帕德多克; C-E·扎 |
| 发表日期 | 2014-02-05 |
| 专利号 | CN103563098A |
| 著作权人 | 康宁股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于形成激光二极管结构中的隔离区的剥离处理 |
| 英文摘要 | 提供制造激光二极管结构的方法，其中利用光刻过程来形成轴向延伸波导结构的至少一部分，使得在光刻过程之后，图案化光刻胶残留物还留在该轴向延伸波导结构上。通过对图案化的光刻胶残留物进行附加光刻过程，在图案化的光刻胶残留物中形成图案化的隔离开口和剥离光刻胶部分，使得在附加光刻过程之后，该剥离光刻胶部分仍然留在该轴向延伸波导结构上。在图案化的隔离开口和该剥离光刻胶部分上形成绝缘层。 |
| 公开日期 | 2014-02-05 |
| 申请日期 | 2012-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63748]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 康宁股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | S·刘,B·J·帕德多克,C-E·扎. 用于形成激光二极管结构中的隔离区的剥离处理. CN103563098A. 2014-02-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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