一种采用铝基板封装的大功率半导体激光器及其封装方法
文献类型:专利
作者 | 史国柱; 马崇彩; 李明; 李树强; 徐现刚 |
发表日期 | 2016-02-03 |
专利号 | CN105305224A |
著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种采用铝基板封装的大功率半导体激光器及其封装方法 |
英文摘要 | 本发明涉及一种采用铝基板封装的大功率半导体激光器及其封装方法,包括激光器芯片、次热沉、铜热沉、过渡绝缘电极、电极金线和设置覆铜导线的铝基板;激光器芯片的P型面烧结在次热沉上,次热沉烧结在铜热沉上,铜热沉直接设置在铝基板上,过渡绝缘电极设置在次热沉的两侧并分别焊接在覆铜导线上,电极金线分别设置在激光器芯片的N型电极面与N型过渡绝缘电极之间以及激光器芯片的P型电极面与P型过渡绝缘电极之间,所述覆铜导线与外部电源相连。本发明采用热、电分离的方式,实现了热沉绝缘,并通过铝基板的绝缘高导热材料对激光器进行散热,提高了激光器的散热效果,同时减少了金线的应用,降低了经济成本。 |
公开日期 | 2016-02-03 |
申请日期 | 2014-07-31 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63764] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 史国柱,马崇彩,李明,等. 一种采用铝基板封装的大功率半导体激光器及其封装方法. CN105305224A. 2016-02-03. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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