面発光型半導体レーザの埋込トンネル接合の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | アマン、マルクス-クリスチアン |
| 发表日期 | 2006-03-09 |
| 专利号 | JP2006508550A |
| 著作权人 | フェルティラス ゲーエムベーハー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザの埋込トンネル接合の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 より妥当な価格的でかつより大きな生産性(歩留まり)で製造することが可能なとりわけ埋込トンネル接合を有するInP系面発光型レーザダイオード(BTJ-VCSEL)を提供すること。 【解決手段】 第1のnドープ半導体層と少なくとも1つのpドープ半導体層とによって包囲されるpn接合を有する活性層、及び該活性層のp側に位置しかつ第2のnドープ半導体層と隣接するトンネル接合を有する面発光型半導体レーザの埋込トンネル接合の製造方法であって、トンネル接合(1)のために提供される層は、第1の工程において、物質選択性エッチングによって、前記トンネル接合(1)の所望の直径に至るまで横方向に刻削され、及び第2の工程において、エッチングにより形成された空隙が前記トンネル接合(1)と隣接する少なくとも1つの半導体層(2、3)からのマストランスポートによって閉塞されるまで適切な雰囲気中で加熱されることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2006-03-09 |
| 申请日期 | 2003-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63806]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フェルティラス ゲーエムベーハー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | アマン、マルクス-クリスチアン. 面発光型半導体レーザの埋込トンネル接合の製造方法. JP2006508550A. 2006-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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