半导体元件以及半导体元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大野彰仁; 竹见政义; 富田信之 |
| 发表日期 | 2006-06-07 |
| 专利号 | CN1783525A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体元件以及半导体元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在方向具有大于等于0.1°小于等于0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。 |
| 公开日期 | 2006-06-07 |
| 申请日期 | 2005-10-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63814]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野彰仁,竹见政义,富田信之. 半导体元件以及半导体元件的制造方法. CN1783525A. 2006-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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