独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 关宝璐; 李鹏涛; 赵永东; 刘储; 李保志; 杨嘉炜; 刘振扬; 郭燕玲; 梁津; 胡丕丽 |
| 发表日期 | 2017-08-25 |
| 专利号 | CN107093840A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。 |
| 公开日期 | 2017-08-25 |
| 申请日期 | 2017-07-07 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63821]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关宝璐,李鹏涛,赵永东,等. 独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法. CN107093840A. 2017-08-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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