一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构
文献类型：专利
| 作者 | 尧舜; 高祥宇; 王智勇; 邱运涛; 雷宇鑫; 贾冠男; 吕朝蕙 |
| 发表日期 | 2015-02-25 |
| 专利号 | CN104377549A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构 |
| 英文摘要 | 本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射四种波长激光。本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长一层外延层后，再累积生长三层同结构不同组分的外延层，然后通过光刻、腐蚀等方法，使一个芯片同时具有四个不同组分的有源区，成为可以同时发射出四种不同波长光的激光器，并且四种波长光的电极相互独立，可单独调节电流大小。本发明使以蓝宝石为基底的激光器的应用范围更宽、更广、更灵活。 |
| 公开日期 | 2015-02-25 |
| 申请日期 | 2014-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63826]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尧舜,高祥宇,王智勇,等. 一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构. CN104377549A. 2015-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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