半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置
文献类型：专利
| 作者 | 清水源; 秋吉新一郎 |
| 发表日期 | 2012-05-16 |
| 专利号 | CN102457016A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置的制造方法包括：形成具有第一电极的第一半导体激光元件的工序；形成具有第二电极的第二半导体激光元件的工序；在基台的第三电极上隔着第一阻挡层形成具有第一熔点的第一焊料层的工序；在基台的第四电极上隔着第二阻挡层形成具有第二熔点的第二焊料层的工序；使第一电极和第一焊料层反应而形成具有比第二熔点高的第三熔点的第一反应焊料层，且经由第一反应焊料层将第一电极和第三电极接合的工序；在接合第一电极和第三电极的工序之后，以第一加热温度进行加热使具有第二熔点的第二焊料层熔解而将第二电极和第四电极接合的工序。 |
| 公开日期 | 2012-05-16 |
| 申请日期 | 2011-10-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63839]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水源,秋吉新一郎. 半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置. CN102457016A. 2012-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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