激光二极管芯片
文献类型：专利
| 作者 | 克里斯托夫·艾希勒; 特雷莎·武尔姆 |
| 发表日期 | 2017-11-24 |
| 专利号 | CN107394584A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光二极管芯片 |
| 英文摘要 | 描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中第一势垒层(41)朝向n型半导体区域(3)，并且第二势垒层(42)朝向p型半导体区域(5)。量子阱层(43)的电子带隙EQW小于第一势垒层(41)的电子带隙EB1并且小于第二势垒层(42)的电子带隙EB2，并且第一势垒层(41)的电子带隙EB1大于第二势垒层(42)的电子带隙EB2。 |
| 公开日期 | 2017-11-24 |
| 申请日期 | 2017-05-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63847]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯托夫·艾希勒,特雷莎·武尔姆. 激光二极管芯片. CN107394584A. 2017-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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