化合物半導体層の成長方法および気相成長装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 喜嶋 悟 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200211A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体層の成長方法および気相成長装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板上にIII-V族化合物半導体層を成長させた後、その上にII-VI族化合物半導体層を成長させる場合、それらのIII-V族化合物半導体層とII-VI族化合物半導体層との界面から発生する積層欠陥を大幅に低減することができる化合物半導体層の成長方法およびそれに用いる気相成長装置を提供する。 【解決手段】 第1の成長室1においてMBE法またはMOCVD法により基板5上にIII-V族化合物半導体層を成長させた後、基板5を搬送路3を通して第2の成長室2に搬送し、この第2の成長室2においてIII-V族化合物半導体層上にMBE法またはMOCVD法によりII-VI族化合物半導体層を成長させる場合に、搬送中の基板5の温度を300℃以上570℃以下に保ち、また、第2の成長室2におけるII-VI族化合物半導体層の成長開始前に基板5を480℃以上570℃以下に加熱する。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63867]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,喜嶋 悟. 化合物半導体層の成長方法および気相成長装置. JP1998200211A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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