リッジ導波路型半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 池谷 晃; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995030198A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波路型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 水平横モードが安定し、端面破壊を起こさずに高出力動作が可能になる半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板11上に、活性層13、リッジ導波路19を積層したリッジ導波路型半導体レーザ素子において、リッジ導波路19に高さが、光出射端面とその近傍において、光出射端面に近づくほど低くなる部分19bを設ける。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63873]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池谷 晃,菊田 俊夫. リッジ導波路型半導体レーザ素子. JP1995030198A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。