半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法及び半導体デバイス用エピタキシャルウエハ
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 良治 |
| 发表日期 | 2008-03-21 |
| 专利号 | JP2008066575A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法及び半導体デバイス用エピタキシャルウエハ |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】高精度な構造設計と、その成長条件への正確なフィードバックを可能にすることにより、垂直放射角などの光学特性が非常に安定で、かつバラツキが少ないLDを作製できる半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 【解決手段】基板上にエピタキシャル層を複数層を成長させて作製する半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法において、予め作製した複数層のエピタキシャル層におけるAl組成の深さ方向プロファイルを、2次イオン質量分析法により直接求め、求めたAl組成の深さ方向プロファイルデータを基に、上記Al組成が深さ方向で所定のプロファイルとなるように成長させる方法である。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2008-03-21 |
| 申请日期 | 2006-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63898]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 良治. 半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法及び半導体デバイス用エピタキシャルウエハ. JP2008066575A. 2008-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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