量子細線構造の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 岸本 晃弘; 徳田 潤 |
| 发表日期 | 1994-09-09 |
| 专利号 | JP1994252496A |
| 著作权人 | 松下電工株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子細線構造の形成方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 特別な微細パターン加工が要らず量子細線構造を容易に形成することのできる方法を提供する。 【構成】 この発明の量子細線構造の形成方法の場合、化合物半導体層および禁制帯の大きい半導体層を堆積形成する表面に凹状溝3が形成されている半導体基板1を得るにあたり、被覆域の両側に未被覆域が隣りあって両域が長手方向に平行に続くパターンを有するマスク2が表面に設けられた半導体基材1を用い、この基材のマスク形成面に対してメサエッチングを施した後、マスクを残したまま半導体層5を前記凹状溝7が表面に出来るように堆積することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-09-09 |
| 申请日期 | 1993-02-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63899]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電工株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸本 晃弘,徳田 潤. 量子細線構造の形成方法. JP1994252496A. 1994-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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