強壮なAlAsクラッド層を有する半導体デバイス
文献类型：专利
| 作者 | ケネス ジェラルド グロゴヴスキー; ロナルド ユージェン リーバーグス; ジョン ウィリアム ステイト,ジュニヤ; ヴェンカタラマン スワミナザン; キンバーリー ダウン チェニー トラップ |
| 发表日期 | 1994-08-12 |
| 专利号 | JP1994224462A |
| 著作权人 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 強壮なAlAsクラッド層を有する半導体デバイス |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、Al含有クラッド層を有する半導体デバイスを提供する。 【構成】 本発明の典型的態様によれば、デバイスは、第III-V族化合物半導体よりなる基板;少なくとも一つの第III-V族化合物半導体よりなり、該基板上の少なくとも一つの領域;及び、該少なくとも一つの領域に接触するクラッド領域を含む。 |
| 公开日期 | 1994-08-12 |
| 申请日期 | 1993-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63900]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ケネス ジェラルド グロゴヴスキー,ロナルド ユージェン リーバーグス,ジョン ウィリアム ステイト,ジュニヤ,等. 強壮なAlAsクラッド層を有する半導体デバイス. JP1994224462A. 1994-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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