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波長変換素子

文献类型:专利

作者八坂 洋; 笠谷 和生; 三条 広明; 尾江 邦重
发表日期1995-06-16
专利号JP1995153933A
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名波長変換素子
英文摘要【目的】 入力信号光強度を低減し、素子偏波依存性を低減した波長変換素子を提供する。 【構成】 波長変換素子はn-InP基板1上に光増幅器22として活性層2、波長可変レーザ部21の光入力側SSG-DBR23、活性領域24、位相調整領域25および光出力側SSG-DRBとしてそれぞれ光導波路3、活性層4、位相調整領域5および光導波路6を光導波方向に接続し、埋め込み層8を設ける。これらの上にp-InPクラッド層9とInGaAsPキャップ層10をそれぞれ設た後、p-側電極12,14,15,16,17を光増幅器22、光入力側SSG-DBR23、活性領域24、位相調整領域25、光出力側SSG-DBRバイアス用に設ける。さらに、基板1の裏面側にn-側電極11を設け、光入出力側両端面に誘電体多層膜7を設ける。
公开日期1995-06-16
申请日期1993-11-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63902]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
八坂 洋,笠谷 和生,三条 広明,等. 波長変換素子. JP1995153933A. 1995-06-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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