半導体発光装置とその製造方法並びに光導波路装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大谷 直毅; 坂田 成司; 堂本 千秋; 江上 典文 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022281A |
| 著作权人 | 株式会社エイ·ティ·アール環境適応通信研究所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法並びに光導波路装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来技術に比較してより容易にDBR多層膜を有する半導体発光装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体活性層14を2つの電極11,12により挟設し、電極11,12間に直流電圧を印加することにより、キャリアを注入して半導体活性層におけるキャリアの再結合により発光する半導体発光装置10である。ここで、原子間力顕微鏡(AFM)微細加工法を用いて、半導体活性層14において所定の間隔で互いに対向する位置をそれぞれ、所定の微細間隔で周期的に酸化することにより、互いに対向してそれぞれ周期的な屈折率変化を有する少なくとも1組の多層反射膜41,42を形成して、これら多層反射膜41,42を共振器用ミラーとして用いてレーザ発振させる。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63903]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社エイ·ティ·アール環境適応通信研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大谷 直毅,坂田 成司,堂本 千秋,等. 半導体発光装置とその製造方法並びに光導波路装置とその製造方法. JP2000022281A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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