半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール
文献类型：专利
| 作者 | 魚見 和久; 中原 宏治; 土屋 朋信 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232666A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール |
| 英文摘要 | 【課題】n型にドープされた多重量子井戸活性層を有する埋込ヘテロ型半導体レーザにおいて、n型ドープ活性層特有である埋込層の電流阻止効果と共に変調ドープ効果を保ち、低しきい電流·短キャリア寿命時間動作を実現する。 【解決手段】本発明での解決手段はn型にドーピングされた多重量子井戸型半導体レーザにおいてn型の不純物から発生した多数電子の拡散を抑制するp型の第1埋込層構造、p型の第1埋込層の不純物濃度が5×1017cm~3〜5×1018cm~3の埋込構造である。 【効果】変調ドープ効果を保ちながら、多数電子がBH構造の電流阻止効果を低減しない構造を提供できるので、n型ドープ多重量子井戸型BH構造半導体レーザ及びレーザアレイの低しきい値化、短キャリア寿命動作に対して効果がある。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63911]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魚見 和久,中原 宏治,土屋 朋信. 半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール. JP1997232666A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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