集積化半導体双安定光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 三上 修 |
| 发表日期 | 1994-03-25 |
| 专利号 | JP1994085380A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集積化半導体双安定光デバイス |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 制御光信号と出力光信号とが相互に干渉することのない光双安定半導体デバイスを提供する。 【構成】 制御光31を入射するチャンネル導波路12を双安定半導体レーザ20に近接してモノリシックに集積化し、かつチャンネル導波路には光の伝搬方向に対して、格子面が面内で傾いた回折格子11を形成し、入射された制御光が前記斜め回折格子を介して、双安定半導体レーザの可飽和吸収領域21に照射する構成とした。 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 申请日期 | 1992-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63917]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三上 修. 集積化半導体双安定光デバイス. JP1994085380A. 1994-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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