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半導体発光素子、光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置

文献类型:专利

作者岩本 浩治; 長崎 洋樹; 松永 勝一郎; 平田 照二
发表日期1999-03-30
专利号JP1999087831A
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子、光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置
英文摘要【課題】 発光効率の向上、動作電流の低減および素子の信頼性の向上を図ることができ、しかも、容易に製造することができる半導体発光素子、ならびに、そのような半導体発光素子を光源として用いた光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置を提供する。 【解決手段】 AlGaInP系半導体レーザにおいて、n型GaAs基板1上に、n型GaAs基板1に対して2.0×10-4以上3.0×10-3以下の格子不整合を有するn型(Alx1Ga1-x1)1-y1Iny1Pクラッド層2、(Alx2Ga1-x2)1-y2Iny2P光導波層3、Ga1-z Inz P量子井戸層4aと(Alx2Ga1-x2)1-y2Iny2P障壁層4bとからなるMQW構造の活性層4、(Alx2Ga1-x2)1-y2Iny2P光導波層5およびp型(Alx1Ga1-x1)1-y1Iny1Pクラッド層6を順次積層して設ける。
公开日期1999-03-30
申请日期1997-09-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63922]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
岩本 浩治,長崎 洋樹,松永 勝一郎,等. 半導体発光素子、光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置. JP1999087831A. 1999-03-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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