半導体レーザ及びその製造方法。
文献类型：专利
| 作者 | 内田 陽三; 中島 健二; 河本 清時; 口野 啓史; 中西 寿美代 |
| 发表日期 | 2006-12-28 |
| 专利号 | JP2006351784A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法。 |
| 英文摘要 | 【課題】異なる波長の発光点の高さを正確に調整することができると共に、エッチングにより除去された先に形成したエピタキシャル層の一部の面上に形成する他のエピタキシャル層の結晶度を向上させることができ、更に低コストで製造可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】、少なくとも1つのレーザ素子部における前記n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層はAl、Ga、Asを成分として有し、当該レーザ素子部の前記基板と活性層との間にAl、Ga、Asを成分として有するn型ストッパ層が形成されており、且つ、前記n型クラッド層、活性層、p型クラッド層及びn型ストッパ層におけるAlとGaとの組成比をAlXGa(1-X)とした場合、n型ストッパ層のXの値が、n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層の各層のX値よりも高いことを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-12-28 |
| 申请日期 | 2005-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63926]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 陽三,中島 健二,河本 清時,等. 半導体レーザ及びその製造方法。. JP2006351784A. 2006-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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