II-VI族化合物半導体発光素子の製法
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 浩; 浮田 昌一; 中野 一志; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335987A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体発光素子の製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体発光素子において、結晶欠陥に起因する上述した歩留り、信頼性、寿命の問題の解決をはかる。 【構成】 II-VI族化合物半導体発光素子の活性層を構成する半導体層の非発光再結合促進欠陥運動の核となる結晶欠陥の密度がnnrcm-2であり、上記結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子を構成する目標とする割合をR(すなわちR=結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子の数/作製した半導体発光素子の総数〔%〕)とするとき、この半導体発光素子1の電流注入領域の面積Sを、S≦ln(100/R)/nnrcm2に選定する。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63929]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 浩,浮田 昌一,中野 一志,等. II-VI族化合物半導体発光素子の製法. JP1995335987A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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