化合物半導体発光素子の製造方法および化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄 |
| 发表日期 | 2007-05-10 |
| 专利号 | JP2007116201A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子の製造方法および化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】化合物半導体発光素子の製造工程においてInの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 【解決手段】化合物半導体発光素子の製造方法において、有機金属気相成長法を用い、基板上に、下部クラッド層4を形成し、下部クラッド層上に、第1の温度でInを含む活性層5を形成し、活性層上に、第1の温度以下の第2の温度で蒸発防止層であるAlXGa1-XN(0≦X≦1)層6を形成し、AlXGa1-XN(0≦X≦1)層上に、第2の温度以上の第3の温度で上部クラッド層7を形成する。これによりInの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-05-10 |
| 申请日期 | 2007-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63937]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄. 化合物半導体発光素子の製造方法および化合物半導体発光素子. JP2007116201A. 2007-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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