Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleiterlaservorrichtung
文献类型：专利
| 作者 | KADOWAKI TOMOKO; TAKEMOTO AKIRA; TANIGAMI YORIKO |
| 发表日期 | 1996-02-29 |
| 专利号 | DE19531052A1 |
| 著作权人 | MITSUBISHI DENKI K.K. |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleiterlaservorrichtung |
| 英文摘要 | Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung wird ein Kammwellenleiter, welcher eine erste Überzugsschicht, eine aktive Schicht und eine zweite Überzugsschicht enthält, auf einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet, man läßt eine erste Stromblockierungsschicht, die einen Halbleiter des ersten Leitfähigkeitstyps enthält, eine zweite Stromblockierungsschicht, die um einen Teil der ersten Stromblockierungsschicht in der Nähe des Kammwellenleiters von dem Kammwellenleiter getrennt gebildet ist und einen Halbleiter eines zweiten Leitfähigkeitstyps entgegengesetzt zu dem ersten Leitfähigkeitstyp enthält, eine dritte Stromblockierungsschicht, welche einen Halbleiter des ersten Leitfähigkeitstyps enthält, und eine letzte Vergrabungsschicht, welche einen Halbleiter des zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, aufeinanderfolgend durch selektives epitaxiales Aufwachsen auf beiden Seiten des Kammwellenleiters zur Bildung eines Vergrabungskristalls aufwachsen, und man läßt eine Kontaktschicht, welche einen Halbleiter des zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, epitaxial auf der zweiten Überzugsschicht und auf der letzten Vergrabungsschicht aufwachsen. |
| 公开日期 | 1996-02-29 |
| 申请日期 | 1995-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63949]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI K.K. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KADOWAKI TOMOKO,TAKEMOTO AKIRA,TANIGAMI YORIKO. Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleiterlaservorrichtung. DE19531052A1. 1996-02-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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