半導体光デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀川 英明; 中村 幸治; 山内 義則; 大柴 小枝子 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209568A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 メサストライプの両側に電流ブロック層(Fe-InP層)が接する構成では、Fe-InP層がホールの注入に対して高抵抗にならないためにリーク電流が多く流れて、半導体レーザ発振器の発振しきい値の増加、発振効率が悪化を来す。 【解決手段】 n-InP基板11上にn-InPクラッド層12、InGaAsP活性層13等を形成し、続いてInGaAsP活性層13上にFe-InP層14を形成する。次いでFe-InP層14を加工してFe-InP層14を底部に残した状態に溝17を形成した後、溝17の幅方向の底部ほぼ中央部におけるFe-InP層14上にp-InPクラッド層20をこの溝17の奥行き方向に形成し、さらにその上にp-InGaAsコンタクト層21を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63960]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀川 英明,中村 幸治,山内 義則,等. 半導体光デバイスの製造方法. JP1998209568A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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