面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 櫻井 淳; 中山 秀生; 乙間 広己; 宮本 育昌 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340565A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 寿命が長く、光出力特性が均一な面発光型半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板12の第1主面上に形成された第1導電型の下部DBR16上に形成された、活性領域24、最下層にAlAs層32を含む第2導電型の上部DBR26、及びp型のGaAsコンタクト層28を含むメサ構造の上面の縁部及び側面を無機絶縁膜であるシリコン酸窒化膜34で覆う。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1998-05-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63962]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫻井 淳,中山 秀生,乙間 広己,等. 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1999340565A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。