半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法
文献类型：专利
| 作者 | 安部 克則; 渥美 欣也 |
| 发表日期 | 1999-09-07 |
| 专利号 | JP1999243259A |
| 著作权人 | DENSO CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 大出力用のものにおいて、活性層での注入電流の閉じ込めと光密度分布のピーク位置が重なることによる転位などの劣化の発生を抑制する。 【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-GaAs層2,n-Al0.4Ga0.6Asの第1のクラッド層3,n-Al0.2Ga0.8Asの第1の光ガイド層4,AlGaAs/GaAs多重量子井戸構造を有する活性層5,p-Al0.3Ga0.7Asの第2の光ガイド層6,p-Al0.5Ga0.5Asの第2のクラッド層7,p-GaAs層8を順次積層し、メサ状に形成して絶縁膜9,電極10,11などを形成する。活性層5に対して両側の各層の屈折率が非対称に設定されるので、光密度分布のピーク位置を活性層5からシフトさせることができ、劣化を抑制して長期信頼性を図れる。 |
| 公开日期 | 1999-09-07 |
| 申请日期 | 1998-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63964]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DENSO CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安部 克則,渥美 欣也. 半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法. JP1999243259A. 1999-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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