半導体レーザ、および半導体レーザを作製する方法
文献类型：专利
| 作者 | 河原 孝彦; 生駒 暢之 |
| 发表日期 | 2006-07-20 |
| 专利号 | JP2006190785A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ、および半導体レーザを作製する方法 |
| 英文摘要 | 【課題】、InAsP半導体を用いることなくInP半導体およびAlGaInAs半導体を含む回折格子を備える半導体レーザを提供する。 【解決手段】半導体レーザ11は、n型InP半導体領域13と、p型III-V化合物半導体層15と、AlGaInAs層17と、AlInAsP領域19と、活性領域21とを備える。AlInAsP領域19は、n型InP半導体領域13とAlGaInAs層17との間に設けられている。活性領域21は、p型III-V化合物半導体層15とAlGaInAs層17との間に設けられている。n型InP半導体領域13、AlInAsP領域19およびAlGaInAs層17は、分布帰還型回折格子23を構成している。分布帰還型回折格子23には、活性領域21が光学的に結合されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-07-20 |
| 申请日期 | 2005-01-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63965]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河原 孝彦,生駒 暢之. 半導体レーザ、および半導体レーザを作製する方法. JP2006190785A. 2006-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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