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光半導体装置および半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者岡井 誠; 魚見 和久; 辻 伸二; 坂野 伸治; 茅野 直樹
发表日期1998-03-10
专利号JP1998070339A
著作权人株式会社日立製作所
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置および半導体レーザ装置
英文摘要【課題】本発明は、波長可変幅の大きい半導体レーザ装置を提供するにある。 【解決手段】光導波領域と導波される光に摂動を与え得る非一様な摂動周期分布領域とを少なくとも有し、光導波積層体内部の光分布の変化せしめることにより、光の非一様な摂動周期分布領域との光結合強度を選択的に変化させ、波長を可変ならしめ、且つ前記非一様な摂動周期分布領域の一方の端部領域は摂動周期分布領域を有せしめない構造となす。
公开日期1998-03-10
申请日期1988-10-03
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63970]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
岡井 誠,魚見 和久,辻 伸二,等. 光半導体装置および半導体レーザ装置. JP1998070339A. 1998-03-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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