自励発振型半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 佐藤 義人 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000277856A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来のAlGaInP系自励発振型可視レーザと比較して、高温領域(60℃以上)まで安定な自励発振、低パワーでのスロープ効率の直線性、動作電流の低減、最高発振温度の向上、高い信頼性等の優れた自励発振型可視レーザを提供すること。 【解決手段】 基板上に、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなるクラッド層、該クラッド層の上に形成されたGaInP又はAlGaInPからなる活性層、該活性層の上に形成された第2導電型のAlGaInP又はAlInPからなる第1クラッド層、該第1クラッド層の上に形成され且つ電流狭窄部の少なくとも一部を構成する第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第2クラッド層、から少なくとも構成される自励発振型半導体レーザ装置であって、前記第2クラッド層の両側面の少なくとも一部が前記第2クラッド層よりも屈折率が低い低屈折率電流阻止層に挟まれていることを特徴とする自励発振型半導体レーザ装置。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63987]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,佐藤 義人. 自励発振型半導体レーザ装置. JP2000277856A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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