半導体薄膜及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 舘野 功太; 大磯 義孝; 天野 主税; 若日 温; 黒川 隆志 |
| 发表日期 | 1998-09-29 |
| 专利号 | JP1998261839A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体薄膜及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs(311)B面上に成長したp型AlX Ga1-X As(x≧0.5)を含む半導体薄膜及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 (311)B面を主面とするGaAs基板上に形成され、炭素がドーピングされたp型AlX Ga1-X As(x≧0.5)からなる。 |
| 公开日期 | 1998-09-29 |
| 申请日期 | 1997-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63988]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舘野 功太,大磯 義孝,天野 主税,等. 半導体薄膜及びその製造方法. JP1998261839A. 1998-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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