半導体レーザー及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 文彦 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP1999274639A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 この発明は、選択酸化の幅の制御が困難であるという問題を解決し、低電流動作で高速対応、長寿命のLDが簡単な工程で製造できることを目的とする。
【解決手段】この発明では、活性層の上側または下側の少なくとも一方に、Alの酸化層およびGaAs層からなる多層構造と、該多層構造の一部領域にはAlxGal-xAs(0 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1998-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64016]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 文彦. 半導体レーザー及びその製造方法. JP1999274639A. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。