化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 丹羽 敦子; 後藤 順; 内田 憲治; 五島 滋雄; 高濱 光治; 楊 涛 |
| 发表日期 | 2000-08-22 |
| 专利号 | JP2000232094A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】窒化ガリウム系化合物半導体レーザでは、ドライエッチング時のダメージによる素子特性の低下が問題であった。 【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体を酸素を含む気相あるいはプラズマ中でドライエッチングする。 |
| 公开日期 | 2000-08-22 |
| 申请日期 | 1999-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64031]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丹羽 敦子,後藤 順,内田 憲治,等. 化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子. JP2000232094A. 2000-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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