半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 工藤 耕治 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012952A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 1ウエハからの素子収量を大幅に増大でき、且つ均一で高性能な特性を有する超高集積化された半導体光導波路アレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、ストライプ状成長領域に、量子井戸層を有する半導体多層構造、またはバルク層からなる半導体多層構造を選択的に結晶成長させてなる光導波路を複数本アレイ状に備えた半導体光導波路アレイの製造方法である。本方法では、並列に延在する複数本のストライプ状成長領域をそれぞれ誘電体薄膜で挟んで形成し、各成長領域に選択的に半導体多層構造を有機金属気相成長法により結晶成長させる際、各成長領域が、結晶成長時の反応管内での原料種の拡散長よりも短い間隔で並列に形成されており、各成長領域の間に配設された誘電体薄膜の幅はWa であり、2本の最外側の成長領域の各々の外側に配設された第1最外誘電体薄膜の幅Wm1及び第2最外誘電体薄膜の幅Wm2が、それぞれ、Wm1>Wa 及びWm2>Wa である。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1999-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 耕治. 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子. JP2000012952A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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