窒化物系半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 野村 康彦; 井上 大二朗; 畑 雅幸; 狩野 隆司 |
| 发表日期 | 2007-06-14 |
| 专利号 | JP2007150371A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ光の安定化を図るとともに、しきい値電流や動作電流が増大するのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、酸素がドープされたn型GaN基板1と、n型GaN基板1上に形成されたアンドープのn型クラッド層3と、アンドープのn型クラッド層3上に形成された窒化物系半導体からなるMQW活性層41と、MQW活性層41上に形成されたp型クラッド層5と、p型クラッド層5とMQW活性層41との間に形成され、約0.1μmの膜厚を有するp側光ガイド層42と、アンドープのn型クラッド層3とMQW活性層41との間に形成され、p側光ガイド層42の膜厚よりも小さい約0.05μmの膜厚を有するn側光ガイド層44とを備えている。 【選択図】図9 |
| 公开日期 | 2007-06-14 |
| 申请日期 | 2007-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野村 康彦,井上 大二朗,畑 雅幸,等. 窒化物系半導体レーザ素子. JP2007150371A. 2007-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。