光集積デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 板垣 卓士; 鈴木 大輔; 三橋 豊 |
| 发表日期 | 1998-06-02 |
| 专利号 | JP1998150241A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光集積デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層を構成するエピタキシャル成長層が薄くなっている領域の位置精度を良好とするとともに、製造歩留りを向上させることができる光集積デバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】 面方位(001)のInP基板1の表面のほぼ全領域上に、ポリイミドを塗布した後、硬化させてポリイミド膜2を形成する。膜2を島状にパターニングする。基板1の表面のほぼ全領域上に、SiO2 をスパッタリングしてSiO2 膜3を形成し、膜3にて島状の膜2を覆う。面方位(011)方向と交差する方向に沿って島状の膜2を覆う膜3を残しつつ、基板1の表面、および膜2の面方位(011)方向と交差する端面が、それぞれ、露出するように、膜3をパターニング除去する。島状の膜2を除去して、エアブリッジマスク4を得る。 |
| 公开日期 | 1998-06-02 |
| 申请日期 | 1996-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板垣 卓士,鈴木 大輔,三橋 豊. 光集積デバイスの製造方法. JP1998150241A. 1998-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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