多結晶半導体膜の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永田 久雄; 田中 修平 |
| 发表日期 | 1994-11-25 |
| 专利号 | JP1994326029A |
| 著作权人 | NIPPON SHEET GLASS CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多結晶半導体膜の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 エピタキシャル成長が生じない基板上の任意の位置に半導体多結晶膜を製造すること。 【構成】 半導体結晶成長技術において、アモルファス、金属、セラミック、多結晶、単結晶などの基板1上に光、電子線、イオンをはじめとするビーム3を照射しつつ原料を供給することで、ビーム3照射位置に選択的に半導体からなる結晶2を形成する工程と、該基板1上に形成した半導体からなる結晶への成長が選択的に生じる条件で半導体を成長させることで、アモルファス基板1上に大きなグレインサイズを有する多結晶膜4を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-11-25 |
| 申请日期 | 1993-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64065]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON SHEET GLASS CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永田 久雄,田中 修平. 多結晶半導体膜の製造方法. JP1994326029A. 1994-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。