半導体レーザ共振器面の保護膜形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 川面 英司; 菊川 知之 |
| 发表日期 | 1994-07-22 |
| 专利号 | JP1994204616A |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ共振器面の保護膜形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】エッチドミラーレーザにおいて端面の垂直性を失わない半導体の端面保護膜の形成し、レーザの共振器端面9を垂直にすることを目的とする。 【構成】レーザ共振器面10のうち第1のクラッド層と第2のクラッド層とを共振器方向にエッチングする。そして、SCH層と第1のクラッド層2と第2のクラッド層4とエッチングされた底面とに活性層より禁制帯幅の大きな半導体膜8を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-07-22 |
| 申请日期 | 1992-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64067]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川面 英司,菊川 知之. 半導体レーザ共振器面の保護膜形成方法. JP1994204616A. 1994-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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