半導体レーザ装置およびその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 平本 清久; 佐川 みすず |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012964A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジを有する高出力半導体レーザの駆動電圧を低減し、またリッジを有する端面透明化型の高出力半導体レーザにおいては、駆動電圧を低減するとともに再成長回数を低減することにより高信頼度化を実現する。 【解決手段】リッジの代わりに電流狭窄するために必要な最小限度の厚さを有する電流狭窄層を形成し、キャップ層が光の横モードに与える影響をなくすために必要なクラッド層をそのリッジの上部に形成する。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1998-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64068]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平本 清久,佐川 みすず. 半導体レーザ装置およびその作製方法. JP2000012964A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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