窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 順; 皆川 重量; 河田 雅彦; 赤松 正一 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242520A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 バンドギャップが大きく且つp型キャリア濃度が1×1018cm-3以下に制限される窒化ガリウム系半導体において良好なオーミック接触を得る電極構造を提供すること。 【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層にMgを含まず且つ密着性·反応性の高い元素(Ni、Ti等)からなる第1層とMgを含む第2層とをこの順に積層して電極構造を形成し、その後、アニーリング処理を行う。これにより、当該半導体中へ第2層からp型ドーパント金属たるMgを拡散させる。第1層をNi又はTiで形成すると、この拡散は速やかに進行する。 【効果】 上記電極構造を半導体素子のp側電極に採用することで、接触抵抗の低減が図られ、素子の動作電圧も低減した。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64074]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,皆川 重量,河田 雅彦,等. 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法. JP1998242520A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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