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フォトニック結晶とその製造方法

文献类型:专利

作者パブロ·バッカロ; 堂本 千秋; 和田 一実; 坂田 成司; 江上 典文
发表日期2000-06-16
专利号JP2000162459A
著作权人株式会社エイ·ティ·アール環境適応通信研究所
国家日本
文献子类发明申请
其他题名フォトニック結晶とその製造方法
英文摘要【課題】 製造方法が簡単であって、例えば半導体レーザの反射ミラーや光導波路に用いるためのフォトニック結晶とその製造方法を提供する。 【解決手段】 単結晶基板であるGaAs半導体基板10上にMOCVD法により半導体層であるGaAsバッファ層11を形成した後、原子間力顕微鏡(AFM)微細加工法を用いてバッファ層11を互いに所定の間隔をあけて周期的に酸化することにより微細な酸化物マスク11aを形成し、酸化物マスク11aが形成されたバッファ層11上に、MOCVD法を用いて光導波路を形成するためのクラッド層12、コア層13、クラッド層14を含む薄膜材料層を形成することにより酸化物マスク11aが形成された部位には薄膜材料層12,13,14を形成しない一方、酸化物マスク11aが形成されていない部位には薄膜材料層12,13,14を形成してなる。
公开日期2000-06-16
申请日期1998-11-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64075]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社エイ·ティ·アール環境適応通信研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
パブロ·バッカロ,堂本 千秋,和田 一実,等. フォトニック結晶とその製造方法. JP2000162459A. 2000-06-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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